Тест: Электроника Т-193 (часть 3)
Список вопросов
|
1. Что происходит с p-n переходом при пробое? |
|
| 1) Сопротивление p-n перехода увеличивается, из-за чего обратный ток резко падает | |
| 2) Сопротивление p-n перехода уменьшается, из-за чего обратный ток резко увеличивается | |
| 3) Сопротивление p-n перехода увеличивается, из-за чего прямой ток резко падает | |
| 4) Сопротивление p-n перехода уменьшается, из-за чего прямой ток резко увеличивается | |
|
2. Какой вид пробоя характерен для обратного подключения? |
|
| 1) Лавинный пробой | |
| 2) Туннельный пробой | |
| 3) Тепловой пробой | |
| 4) Все варианты верны | |
|
3. Какое условие возникновения пробоя является общим для всех трёх видов? |
|
| 1) Необходимость достижения обратным напряжением некой "критической точки" | |
| 2) Необходимость плохого состояния полупроводникового прибора в целом | |
| 3) Большая ширина потенциального барьера, обусловленная обратным напряжением | |
| 4) Наличие туннельного эффекта | |
|
4. Какие виды пробоя относятся к электрическому пробою? |
|
| 1) Тепловой и лавинный | |
| 2) Тепловой и туннельный | |
| 3) Лавинный и туннельный | |
| 4) Все | |
|
5. В каких полупроводниках возникает лавинный пробой? |
|
| 1) В полупроводниках с большим сопротивлением | |
| 2) В полупроводниках с малым сопротивлением | |
| 3) В полупроводниках с большим количеством примесей | |
| 4) В полупроводниках, в которых полностью отсутствуют примеси | |
|
6. Какой из пробоев вызывается ударной ионизацией? |
|
| 1) Лавинный | |
| 2) Туннельный | |
| 3) Тепловой | |
| 4) Ударный | |
|
7. Из-за чего повышается ток при лавинном пробое? |
|
| 1) Лавинообразно возрастает размножение ОНЗ | |
| 2) Лавинообразно возрастает размножение ННЗ | |
| 3) Лавинообразно возрастает размножение ОНЗ и ННЗ | |
| 4) Все варианты неверны | |
|
8. Что должно произойти, чтобы атомы ионизировались при столкновении с ННЗ? |
|
| 1) ННЗ должны превратиться в ОНЗ | |
| 2) ННЗ должны долгое время находиться в условиях, не позволяющих им перейти через p-n перезод | |
| 3) ННЗ должны сталкиваться между собой рядом с атомами | |
| 4) ННЗ должны двигаться через переход с огромной скоростью | |
|
9. Как называется процесс образования пар электрон-дырка? |
|
| 1) Диффузия | |
| 2) Парабола | |
| 3) Генерация | |
| 4) Рекомбинация | |
|
10. Чем может быть ограничен ток в цепи, где произошёл лавинный пробой p-n перехода? |
|
| 1) Только внешним сопротивлением | |
| 2) Только внутренним сопротивлением цепи | |
| 3) Оба варианта верны | |
| 4) Оба варианта неверны | |
|
11. Чем обусловлен туннельный пробой? |
|
| 1) Формированием электронами "туннеля", по которому могут свободно проходить ОНЗ, тем самым создавая барьер, повышающий общее напряжение p-n перехода | |
| 2) Наличием физических деформаций, ведущих к изменению поведения заряженных частиц в полупроводником приборе | |
| 3) Эффектом, при котором заряженная частица может мгновенно исчезнуть с одной стороны потенциального барьера, и мгновенно появиться на другой его стороне. | |
| 4) Ни один из вариантов не верен | |
|
12. При прохождении частицы "по туннелю" при туннельном пробое, затрачивается ли энергия? |
|
| 1) Да | |
| 2) Нет | |
| 3) Не всегда | |
| 4) Только в германиевых полупроводниковых устройствах | |
|
13. Какова величина обратного тока при тоннельном пробое? |
|
| 1) Большая | |
| 2) Небольшая | |
| 3) Нестабильная | |
| 4) Нулевая | |
|
14. Приводят ли туннельный и лавинный пробой к повреждению p-n перехода? |
|
| 1) Нет, но сам полупроводниковый прибор выходит из строя | |
| 2) Нет, и свойства полупроводникового прибора восстанавливаются | |
| 3) Да, что и приводит к выходу полупроводникового прибора из строя | |
| 4) Да, но при этом полупроводниковый прибор не выходит из строя | |
|
15. Какой из этих пробоев является необратимым? |
|
| 1) Лавинный | |
| 2) Туннельный | |
| 3) Тепловой | |
| 4) Все | |
|
16. Какие условия необходимы для перегрева, приводящего к возникновению теплового пробоя? |
|
| 1) Неисправность системы охлаждения в p-n переходе | |
| 2) Наличие большого количества примесей в полупроводнике | |
| 3) Количество внешнего тепла должно привести к возникновению необходимых для пробоя механических повреждений | |
| 4) Количество тепла, выделяемого током в p-n переходе должно быть больше количества тепла, отводимого от перехода | |
|
17. Какой пробой наиболее характерен для полупроводников с большим количеством примесей? |
|
| 1) Туннельный | |
| 2) Лавинный | |
| 3) Тепловой | |
| 4) Количество примесей никак не влияет на это | |
|
18. При увеличении температуры при тепловом пробое, интенсивность генерации: |
|
| 1) Резко увеличивается и ток растёт по экспоненте | |
| 2) Резко уменьшается и ток начинает стремительно падать | |
| 3) Зависит от внешних условий | |
| 4) Генерация никак не меняется | |
|
19. Каков главный фактор, вызывающий тепловой пробой? |
|
| 1) Наличие физических повреждений на приборе | |
| 2) Подача огромного количества тепла извне | |
| 3) Подача чрезмерного напряжения | |
| 4) Все варианты одинаково верны | |
|
20. Что характерно только для неэлектрических пробоев? |
|
| 1) Отсутствие роста тока | |
| 2) Расплавление p-n перехода и последующий выход полупроводникового прибора из строя | |
| 3) Полная безопасность для полупроводниковых приборов и их пользователей | |
| 4) Стремительный рост обратного тока | |
|
21. Какой пробой считается очень вредным? |
|
| 1) Лавинный | |
| 2) Туннельный | |
| 3) Оба варианта верны | |
| 4) Оба варианта неверны | |