✔ TestWizard
Создать тест   Войти  

Тест: физика тт часть2


Список вопросов


1. 66) К проводникам относятся кристаллы, у которых при абсолютном нуле температур

1) 1) над целиком заполненной валентной зоной располагается пустая зона проводимости
2) 2) над целиком заполненной валентной зоной располагается заполненная частично зона проводимости
3) 3) над частично заполненной валентной зоной располагается частично заполненная зона проводимости;
4) 4) над частично заполненной валентной зоной располагается целиком заполненная зона проводимости

2. 67) Ширина запрещенной зоны типичного собственного полу-проводника имеет порядок

1) 1) 102 Дж
2) 2) 1 Дж
3) 3) 102 эВ
4) 4) 1 эВ

3. 68) Разрешенная зона – это совокупность близких друг к другу энергетических уровней, «расстояние» между которыми

1) 1) много больше значений уровней энергии уровней
2) 2) примерно равно энергии уровней
3) 3) много меньше значений энергии уровней
4) 4) варьируется в широком диапазоне в зависимости от температуры.

4. 69) Ширина запрещенной зоны – это разность значений

1) 1) максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше запрещенной, и минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже
2) 2) минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше запрещенной, и максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже
3) 3) максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже запрещенной, и минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше
4) 4) минимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной ниже запрещенной, и максимальной допустимой энергии разрешенной зоны, расположенной выше

5. 70) Материалы, у которых ширина запрещенной зоны больше или равна 3 эВ, являются

1) 1) диэлектриками
2) 2) полупроводниками
3) 3) проводниками
4) 4) металлами

6. 71) Материалы, у которых ширина запрещенной зоны меньше 3 эВ, считаются

1) 1) диэлектриками
2) 2) полупроводниками
3) 3) проводниками
4) 4) металлами

7. 72) Если ширина запрещенной зоны очень мала или равна нулю, то кри-сталл является

1) 1) диэлектриком
2) 2) полупроводником
3) 3) проводником
4) 4) абсолютно твердым телом

8. 73) Верхняя целиком заполненная разрешенная зона называется

1) 1) валентной зоной
2) 2) зоной проводимости
3) 3) запрещенной зоной
4) 4) перекрытой зоной

9. 74) Разрешенная зона, расположенная непосредственно над верхней це-ликом заполненной разрешенной зоной, называется

1) 1) валентной зоной
2) 2) зоной проводимости
3) 3) металлической зоной
4) 4) перекрытой зоной

10. 75) При повышении температуры удельное сопротивление металлов

1) 1) уменьшается
2) 2) увеличивается
3) 3) изменяется различным образом в зависимости от интервала температур
4) 4) не меняется

11. 76) Какими носителями электрического заряда создается ток в металлах?

1) 1) электронами
2) 2) электронами и дырками
3) 3) электронами и фононами
4) 4) электронами и ионами

12. 77) Какими носителями электрического заряда создается ток в полупроводниках?

1) 1) электронами
2) 2) электронами и дырками
3) 3) электронами и фононами
4) 4) электронами и ионами

13. 78) Какой из приведенных графиков, представленных на рис. 16, правильно отражает зависимость удельного сопротивления ρ металлов, обладающих сверхпроводящим состоянием, от температуры T

1) график 4

14. 79) В чем заключается явление сверхпроводимости?

1) 1) В отсутствии тока в проводнике при низких температурах
2) 2) в нагревании проводника при прохождении по нему тока
3) 3) в охлаждении проводника при помещении его в магнитное поле
4) 4) в отсутствии сопротивления

15. 80) Какой проводимостью обладают собственные полупроводники?

1) 1) В основном электронной
2) 2) в основном дырочной
3) 3) в равной степени электронной и дырочной
4) 4) проводимость собственных полупроводников равна нулю

16. 81) Какой проводимостью обладают полупроводники с донорными при-месями?

1) 1) В основном электронной
2) 2) в основном дырочной
3) 3) в равной степени электронной и дырочной
4) 4) в основном ионной

17. 82) Какой проводимостью обладают полупроводники с акцепторными примесями?

1) 1) В основном электронной
2) 2) в основном дырочной
3) 3) в равной степени электронной и дырочной
4) 4) в основном ионной

18. 83) Свободные уровни в зоне проводимости обеспечивают

1) 1) высокую теплопроводность
2) 2) высокую вязкость
3) 3) высокую теплоемкость
4) 4) высокую электропроводность.

19. 84) Валентность атомов донорной примеси

1) 1) больше валентности основных атомов
2) 2) не равна валентности основных атомов
3) 3) равна валентности основных атомов
4) 4) меньше валентности основных атомов.

20. 85) Валентность атомов акцепторной примеси

1) 1) больше валентности основных атомов
2) 2) не равна валентности основных атомов
3) 3) равна валентности основных атомов
4) 4) меньше валентности основных атомов

21. 86) Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме собственного полупроводника?

1) 1) б
2) 2) в
3) 3) а
4) 4) г

22. 87) Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме донорного полупроводника?

1) 1) а
2) 2) г
3) 3) в
4) 4) б

23. 88) Какая из представленных диаграмм соответствует энергетической схеме акцепторного полупроводника?

1) 1) а
2) 2) в
3) 3) б
4) 4) г

24. 89) Какой из графиков, представленных на рис. 18, правильно отражает зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры

1) 1) б
2) 2) в
3) 3) а
4) 4) г

25. 90) Как зависит концентрация свободных носителей заряда собственного полупроводника от температуры?

1) формула правильный ответ 2

26. 91) Какой из представленных на рис. 19 графиков правильно отражает зависимость концентрации свободных носителей заряда собственного полупроводника от температуры?

1) 1) а
2) 2) б
3) 3) в
4) 4) г

27. 92) Какой из представленных на рис. 20 графиков правильно отражает зависимость концентрации основных носителей заряда донорного полупроводника от температуры?

1) 1) а
2) 2) б
3) 3) в
4) 4) г

28. 93) В кристалле германия с примесью в виде атомов индия при комнат-ных температурах наблюдается

1) 1) собственная проводимость
2) 2) несобственная проводимость
3) 3) дырочная проводимость
4) 4) электронная проводимость

29. 94) При уменьшении температуры сопротивление полупроводника

1) 1) уменьшается
2) 2) не изменяется
3) 3) возрастает
4) 4) может возрастать, уменьшаться или оставаться постоянным в зависимости от полупроводника.

30. 95) В кристалле кремния с примесью в виде атомов фосфора при комнатных температурах наблюдается

1) 1) собственная проводимость
2) 2) несобственная проводимость
3) 3) дырочная проводимость
4) 4) электронная проводимость

31. 96) Действие терморезисторов основано на зависимости:

1) 1) сопротивления полупроводника от температуры;
2) 2) силы тока в полупроводнике от светового потока
3) 3) проводимости полупроводника от приложенного напряжения
4) 4) разности потенциалов на концах полупроводника от деформации

32. 97) Терморезистор изготовлен из

1) 1) полупроводника
2) 2) металла
3) 3) диэлектрика
4) 4) проводника или полупроводника

33. 98) Фотосопротивление изготовлено из

1) 1) полупроводника
2) 2) металла
3) 3) диэлектрика
4) 4) проводника или полупроводника

34. 99) Действие фоторезисторов основано на зависимости:

1) 1) силы тока в полупроводнике от приложенного напряжения
2) 2) сопротивления полупроводника от температуры;
3) 3) сопротивления полупроводника от интенсивности электромагнитного излучения
4) ) освещенности полупроводника от разности потенциалов на его концах.

35. 100) Какой из представленных на рис. 21 графиков правильно изображает вольт-амперную характеристику фоторезистора?

1) а график
2) б
3) в
4) г

36. 101) Какой из представленных на рис. 22 графиков является световой характеристикой фоторезистора?

1) а график
2) б
3) в
4) г

37. 102) Закон Дюлонга-Пти имеет вид:

1) правильный ответ под номером 3 (формула) C = 3R

38. 103) Закон кубов Дебая имеет вид:

1) 3 формула

39. 104) Какой из графиков, представленных на рис. 23, правильно отражает зависимость молярной теплоемкости железа от температуры?

1) 4 график

40. 105) Фононы – это

1) 1) кванты поля упругости кристаллической решетки;
2) 2) микрочастицы, движущиеся со скоростью света
3) 3) микрочастицы, движущиеся в вакууме со скоростью звука
4) 4) в кристалле со скоростью звука.

41. 106) Фононы движутся

1) 1) в аморфном теле со скоростью фона
2) 2) в вакууме со скоростью света
3) 3) в жидкости со скоростью частицы
4) 4) в кристалле со скоростью звука

42. 107) Фонон

1) 1) существует только в данном твердом теле
2) 2) может переходить из одного твердого тела в другое
3) 3) существует только в разреженном газе
4) 4) может переходить из разреженного газа в вакуум

43. 108) Характеристическая температура Дебая указывает для каждого вещества

1) 1) верхнюю границу области температур, в которой существенны квантовые эффекты
2) 2) нижнюю границу области температур, в которой существенны квантовые эффекты
3) 3) верхнюю границу области температур, в которой энергия фононов максимальна
4) 4) верхнюю границу области температур, в которой энергия фононов минимальна.

44. 109) Температура Дебая – это температура, при которой

1) 1) в кристалле возбуждаются колебания всех возможных частот;
2) 2) плазма становится полностью ионизированной
3) 3) электронный газ в металле становится невырожденным
4) 4) в абсолютно черном теле появляются фотоны с максимальной возможной энергией.

45. 110) Частота Дебая – это

1) 1) максимальная частота нормальных колебаний в кристалле
2) 2) минимальная частота нормальных колебаний в кристалле
3) 3) средняя частота нормальных колебаний в кристалле
4) 4) частота при которой нормальные колебания в кристалле не возникают.

46. 111) Основным свойством p-n перехода является

1) 1) уменьшение сопротивления при освещении
2) 2) плавление при нагревании
3) 3) односторонняя проводимость
4) 4) возникновение ЭДС

47. 112) Силу прямого тока через полупроводниковый диод можно рассчи-тать по формуле:

1) формула 3

48. 113) Какой из представленных на рис. 24 графиков правильно изображает вольт-амперную характеристику полупроводникового диода?

1) а
2) б
3) в график
4) г

49. 114) Какая из представленных на рис. 25 схем соответствует прямому включению р-п перехода?

1) 1) б
2) 2) в
3) 3) г
4) 4) а.

50. 115) Какая из представленных на рис. 25 схем соответствует обратному включению р-п перехода?

1) 1) г
2) 2) б
3) 3) в
4) 4) а.

51. 116) Какая из представленных на рис. 26 энергетических схем соответ-ствует прямому включению р-п перехода?

1) 1) а
2) 2) б
3) 3) в
4) 4) г

52. 117) Какая из представленных на рис. 24 энергетических схем соответ-ствует обратному включению р-п перехода?

1) 1) а
2) 2) б
3) 3) в
4) 4) г

53. 118) p-n переход – это

1) 1) контакт двух проводников, легированных донорной и акцепторной примесями
2) 2) контакт двух полупроводников, легированных донорной и акцепторной примесями
3) 3) переход электрона из валентной зоны в зону проводимости
4) 4) переход электрона из зоны проводимости в валентную зону.

54. 119) При увеличении прямого напряжения, подаваемого на p-n переход, сила тока, протекающего через переход

1) 1) падает
2) 2) растет
3) 3) не изменяется
4) 4) может падать, а может расти в зависимости от полупроводников, из ко-торых изготовлен переход.

55. 120) При увеличении прямого напряжения, подаваемого на p-n переход, сопротивление перехода

1) 1) падает
2) 2) растет
3) 3) не изменяется
4) 4) может падать, а может расти в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

56. 121) При увеличении обратного напряжения, подаваемого на p-n пере-ход, сила тока, протекающего через переход

1) 1) падает
2) 2) растет
3) 3) не изменяется
4) 4) может падать, а может расти в зависимости от полупроводников, из ко-торых изготовлен переход

57. 122) При увеличении обратного напряжения, подаваемого на p-n пере-ход, сопротивление перехода

1) 1) падает
2) 2) растет
3) 3) не изменяется
4) 4) может падать, а может расти в зависимости от полупроводников, из которых изготовлен переход.

58. 123) Транзистор состоит из

1) 1) базы, источника, коллектора
2) 2) источника, коллектора, электродов
3) 3) коллектора, электродов, эмиттера
4) 4) базы, коллектора, эмиттера.

59. 124) Работа термопары основана на

1) 1) возникновении в электрической цепи ЭДС, если контакты проводников находятся при разных температурах;
2) 2) нагревании приконтактной области проводников, если полупроводники находятся при разных температурах
3) 3) неравномерном нагревании p-n-перехода, если по нему пропустить ток в двух противоположных направлениях;
4) 4) различной скорости охлаждения на отрицательной и положительной клеммах проводника, если приложить к проводнику переменное напряжения

60. 125) Явление Зеебека – это:

1) 1) появление разности температур в области контакта двух металлических проводников при прохождении электрического тока по замкнутой цепи, образованной этими проводниками;
2) 2) возникновение термоЭДС в замкнутой цепи при нагревании металлического проводника;
3) 3) возникновение электрического тока в замкнутой цепи, образованной метал-лическими проводниками, имеющих разные температуры
4) 4) появление разности температур в области контакта двух металлических проводников при их нагревании.

61. 126) Явление Пельтье – это:

1) 1) возникновение или исчезновение термоЭДС при нагревании области контакта двух различных проводников;
2) 2) выделение или поглощение теплоты в проводнике при прохождении по нему электрического тока
3) 3) возникновение или исчезновение электрического тока в цепи, состоящей из двух разных проводников, имеющих разные температуры;
4) 4) выделение или поглощение дополнительной теплоты при прохождении электрического тока через контакт двух разных проводников.

62. 127) Явление Томсона – это выделение или поглощение дополнитель-ной теплоты при прохождении электрического тока:

1) 1) по неравномерно нагретому проводнику;
2) 2) через контакт двух различных проводников
3) 3) через контакт различных полупроводников
4) 4) по неравномерно нагретому полупроводнику.
© 2024 TestWizard - Платформа для создания онлайн-тестов с результатами.
master@testwizard.ru