✔ TestWizard
Создать тест   Войти  

Тест: Лабуда


Список вопросов


1. Какие химические связи не относятся к сильным

1) ван-дер-вальсовая
2) ионная
3) металлическая
4) ковалентная

2. Электроны, находящиеся на внешней оболочке атома, называются

1) валентными
2) свободными
3) собственными
4) внешними

3. Ионная связь может быть

1) полярной и неполярной
2) только неполярной
3) только полярной

4. Какой кристаллической системе соответствует данное соотношение между осевыми углами и единицами a=b≠c α=β=γ=90 град

1) моноклинной
2) кубической
3) тетрагональной

5. Полиморфизм – это

1) способность образовывать две кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлении;
2) способность образовывать две кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах;
3) способность образовывать две или более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах
4) способность образовывать две или более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлении;

6. Сколько атомов приходится на одну элементарную ячейку в кристаллах с объёмно-центрированной кубической решеткой:

1) 8
2) 2
3) 4

7. Какие системы частиц подчиняются принципу Паули:

1) нуклоны
2) фотоны
3) бозоны
4) куперовские пары
5) фермионы

8. Какие типы дефектов не относятся к точечным

1) примесь замещения
2) междоузельный атом
3) дислокация
4) вакансия

9. Уровень Ферми в металле

1) определяет максимальное значение энергии электрона при температуре абсолютного нуля
2) определяет минимальное значение энергии электрона при температуре абсолютного нуля;

10. К материалам высокой проводимости относятся проводники с удельным сопротивлением:

1) 0,001 мкОм*м и менее и 0,01 мкОм*м и менее и 0,1 мкОм*м и менее
2) 0,01 мкОм*м и менее и 0,1 мкОм*м и менее
3) 0,001 мкОм*м и менее и 0,001 мкОм*м и менее
4) 0,001 мкОм*м и менее и 0,1 мкОм*м и менее
5) 0,1 мкОм*м и менее
6) 0,01 мкОм*м и менее
7) 0,001 мкОм*м и менее

11. Какие из перечисленных ниже металлов относят к группе тугоплавких металлов

1) Тантал и Железо и Платина
2) Железо и Никель
3) Железо и Платина
4) Тантал и Никель
5) Тантал и Платина
6) Тантал и Железо
7) Никель
8) Платина
9) Железо
10) Тантал

12. Какие из перечисленных ниже металлов не относят к группе благородных металлов

1) Иридий
2) Палладий
3) Платина;
4) Серебро;
5) Золото

13. Энергия электронов в металле, находящихся при температуре абсолютного нуля на высшем заполненном энергетическом уровне, соответствует

1) Работе выхода
2) Энергии Ферми
3) Энергии ионизации
4) Дну зоны проводимости

14. .Общая концентрация электронов в металле пропорциональна

1) энергии Ферми в степени 3/2
2) энергии Ферми в степени 2/3
3) энергии Ферми

15. Увеличение электрического сопротивления чистых металлов с ростом температуры обусловлено

1) Увеличением числа свободных носителей заряда в металлах
2) Уменьшением числа свободных носителей заряда в металлах
3) Увеличением длины свободного пробега электронов в металлах
4) Уменьшением длины свободного пробега электронов в металлах

16. Температурный коэффициент удельного сопротивления чистых металлов вплоть до температуры плавления является:

1) положительным или отрицательным
2) может изменять знак
3) только отрицательным
4) только положительным

17. У каких сверхпроводников при увеличении напряженности магнитного поля переход в нормальное состояние происходит скачкообразно, как только напряженность поля достигнет критического значения

1) сверхпроводников первого рода
2) сверхпроводников второго рода

18. Какова природа проводимости электролитов

1) ионная
2) электронно-ионная
3) электронная

19. Контактоллы – это

1) металлодиэлектрические композиции с органическим связующим
2) проводящие материалы на основе окислов
3) металлодиэлектрические композиции с неорганическим связующим

20. Керметы – это

1) проводящие материалы на основе окислов
2) металлодиэлектрические композиции с неорганическим связующим
3) металлодиэлектрические композиции с органическим связующим

21. Подвижность носителя заряда – это

1) отношение суммы средней установившейся скорости направленного движения и средней тепловой скорости к напряженности электрического поля
2) отношение средней тепловой скорости направленного движения к напряженности электрического поля
3) отношение средней установившейся скорости направленного движения к напряженности электрического поля

22. Как связаны между собой равновесные концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике

1) равны
2) дырок вдвое больше электронов
3) Электронов вдвое больше дырок

23. К сегнетоэлектрикам относятся: 1 кварц, 2 титанат бария, 3 оксид алюминия, 4 ниобат лития , 5 титанат свинца, 6 оксид марганца

1) 1
2) 4+6
3) 1+3+6
4) 1+2+6
5) 4+6
6) 2+3
7) 1+2+3
8) 2+4+5
9) 5+3+4
10) 1+2+4

24. Собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике зависит от

1) 1+3
2) 1+2+3
3) 4+1
4) 3+4
5) 2+3
6) 1+2
7) 4 эффективной массы носителя заряда
8) 2 температуры
9) 3 ширины запрещенной зоны
10) 1 энергии Ферми

25. . Положение уровня Ферми для собственного полупроводника при 0 К совпадает

1) с дном зоны проводимости
2) с серединой запрещенной зоны
3) с потолком валентной зоны

26. Неравновесные носители заряда это

1) носители, появившиеся в результате тепловой генерации
2) носители, появившиеся под действием других факторов (например, облучения)

27. Ширина запрещенной зоны полупроводника

1) уменьшается при увеличении температуры
2) увеличивается при увеличении температуры
3) не зависит от температуры

28. Примесь замещения в примесном полупроводнике, валентность которой меньше валентность основных атомов решетки, проявляет свойства

1) акцепторов
2) доноров

29. Выберите верное соотношение между собственными и равновесными концентрациями носителей заряда

1) 2 первых
2) 2 последних
3) n0 po=pi в квадрате
4) ni pi=no po
5) p0 no=ni в квадрате
6) ni po=no в квадрате
7) ni no=po в квадрате

30. Положение уровня Ферми в полупроводнике p-типа при повышении температуры

1) не меняет положения
2) стремится к середине запрещённой зоны
3) стремится к уровню энергии ионизации акцепторов

31. В полупроводниках эффективная масса электронов

1) равна массе свободного электрона
2) больше и меньше массы свободного электрона
3) меньше массы свободного электрона
4) больше массы свободного электрона

32. Какому участку температурной зависимости концентрации носителей заряда в примесном полупроводнике соответствует область истощения примесей

1) Концентрация резко увеличивается с температурой
2) Концентрация увеличивается с температурой
3) Концентрация не меняется с температурой

33. Ловушка захвата это

1) Ловушка, захватывающая носители обоих знаков
2) Ловушка, захватывающая носители одного знака
3) Рекомбинационная ловушка

34. Как связана концентрация носителей заряда с константой Холла для полупроводников с носителями заряда одного знака

1) Не зависит
2) Пропорционально
3) Обратно пропорционально

35. Спектр поглощения это

1) зависимость коэффициента поглощения от длины волны падающего излучения
2) зависимость коэффициента поглощения от энергии падающего излучения
3) зависимость коэффициента поглощения от интенсивности падающего излучения

36. Фотопроводимость – это

1) изменение теплопроводности веществе под действием механического усилия
2) изменение электропроводности вещества под действием электромагнитного излучения
3) изменение электропроводности вещества под действием механического усилия
4) изменение теплопроводности вещества под действием электромагнитного излучения

37. К полупроводниковым соединениям АIII BV относятся

1) 2+5+3
2) 2+3+4
3) 1+2+4
4) 1+3+4
5) 1+2+5
6) 5 нитрид галлия
7) 4 титанат бария
8) 3 карбид кремния
9) 2 антимонид индия
10) 1 арсенид галлия

38. Как изменится ширина запрещенной зоны соединения АIII BV в ряду AIN-GaN-InN

1) имеет минимум
2) Увеличивается
3) Уменьшается
4) Имеет максимум

39. Поляризация – это

1) состояние диэлектрика, которое характеризуется наличием магнитного момента у любого элемента объёма
2) состояние диэлектрика, которое характеризуется наличием электрического момента у любого элемента объёма
3) состояние диэлектрика, которое характеризуется наличием механического момента у любого элемента объёма

40. Из всех известных типов поляризации наиболее медленно устанавливается ионная поляризация

1) Да, только при низких температурах
2) Нет
3) Да

41. Полный ток через диэлектрик – это

1) ток утечки
2) ток абсорбции
3) сквозной ток

42. Сопротивление изоляции – это

1) сопротивление току абсорбции через диэлектрик
2) сопротивление току утечки через диэлектрик
3) сопротивление полному току через диэлектрик
4) сопротивление сквозному току через диэлектрик

43. Коэффициент диэлектрических потерь

1) обратнопропорционален tgb
2) равен tgb
3) пропорционален tgb

44. Выберете основные механизмы пробоя твердых диэлектриков

1) 5+4+3
2) 2+3
3) 3+4
4) 1+2
5) все
6) 5 резонансный
7) 4 электрохимический
8) 3 тепловой
9) 2 электрический
10) 1 ионизационный

45. Существуют ли диэлектрики, у которых значение относительной диэлектрической проницаемости менее единицы?

1) нет
2) да

46. Удельные диэлектрические потери возрастают с увеличением напряженности электрического поля

1) нет
2) да

47. Удельные диэлектрические потери возрастают с увеличением относительной диэлектрической проницаемости диэлектрика

1) нет
2) да

48. Если полимерный диэлектрик легко деформируется при действии силы не возвращается в исходное положение после снятия нагрузки, то в каком состоянии он находится?

1) в вязкотекучем состоянии
2) в высокоэластичном состоянии
3) в стеклообразном состоянии

49. Окраску какого цвета в стекле дают ионы хрома с валентностью 3

1) зеленая
2) желтая
3) красная
4) фиолетовая

50. Диэлектрический гистерезис характерен

1) только сегнетоэлектрикам
2) только пьезоэлектрикам
3) всем диэлектрикам

51. К пьезоэлектрикам относятся

1) 2+3+4
2) 5+2
3) 3+4+5+1
4) 1+2+3
5) 1+3+3+4
6) 5 оксид марганца
7) 4 кварц
8) 3 сегнетова соль
9) 2 ниобат лития
10) 1 титанат бария

52. Пьезомодули прямого и обратного пьезоэффекта

1) равны
2) обратнопропорциональны
3) пропорциональны

53. К сегнетоэлектрикам относятся

1) 1+2+3
2) 3+4+2
3) 4+5+1
4) 5+3
5) 1+5+3
6) 5 кварц
7) 4 оксид марганца
8) 3 сегнетова соль
9) 2 ниобат лития
10) 1 титанат бария

54. К ферромагнетикам относятся вещества, у которых магнитная восприимчивость:

1) положительна, не зависит от напряженности внешнего магнитного поля, зависит от температуры
2) положительна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
3) отрицательна, не зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
4) отрицательна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля, не зависит от температуры

55. К парамагнетикам относятся вещества, у которых магнитная восприимчивость:

1) положительна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
2) отрицательна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
3) положительна, не зависит от напряженности внешнего магнитного поля, зависит от температуры
4) отрицательна, не зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры

56. К диамагнетикам относятся вещества, у которых магнитная восприимчивость:

1) положительна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
2) отрицательна, зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры
3) положительна, не завис от напряженности внешнего магнитного поля, зависит от температуры
4) отрицательна, не зависит от напряженности внешнего магнитного поля и температуры

57. Намагниченность — это

1) магнитная проницаемость в единице объема
2) магнитный момент в единице объема
3) магнитная восприимчивость в единице объема

58. Возрастание индукции под действием внешнего магнитного поля в ферромагнетиках обусловлена

1) поворотом магнитных моментов доменов
2) обоими факторами
3) смещением доменных границ

59. Магнитострикция – это

1) изменение диэлектрической индукции материала под действием механических усилия
2) изменение линейных размеров материалов под действием электрического поля
3) изменение магнитной индукции материала под действием механического усилия
4) изменение линейных размеров материала под действием магнитного поля

60. Основные параметры конденсаторов это: 1 номинальная емкость и допуск, 2 температурный коэффициент емкости, 3 номинальная мощность, 4 предельное напряжение, 5 собственный шум, 6 номинальное напряжение, 7 номинальный ток, 8 сопротивление изоляции

1) 1+2+4+5
2) 1+4+2
3) 7+6+1+8
4) 2+5+6
5) 1+2+7
6) 1+2+6+7+8
7) 1+2+5+6
8) 1+5+2+3
9) 6+4+1+2+3
10) 1+2+3+4+5

61. Основные параметры резисторов это 1 номинальная сопротивл и допуск, 2 температурный коэффициент емкости, 3 номинальная мощность, 4 предельное напряжение, 5 собственный шум, 6 номинальное напряжение, 7 номинальный ток, 8 сопротивление изоляции

1) 1+2+6+7+8
2) 1+2+5+6
3) 1+5+2+3
4) 6+4+1+2+3
5) 1+2+3+4+5
6) 1+2+7
7) 2+5+6
8) 7+6+1+8
9) 1+4+2
10) 1+2+4+5
© 2024 TestWizard - Платформа для создания онлайн-тестов с результатами.
master@testwizard.ru